CVD法制备硅基氮化镓薄膜

• 作者: 刘旭光 梁建 王连红 许并社 马淑芳
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓薄膜 化学气相沉淀 生长机理
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 第八届全国发光学学术会议研究论文
• 页码范围: 152-155
• 页数: 4页
• 分类号: TN304|O482.31
• 字数: 2342字
• 语种: 中文

摘要

利用化学气相沉积法(CVD),分别以三氧化二镓(Ga2O3)和氨气(NH3)为镓源和氮源在硅衬底合成了一种由片状微晶构成的氮化镓(GaN)薄膜,实验中没有使用缓冲层.通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、电子能量散射谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行分析,生成物为质量较好的富镓的纯氮化镓薄膜.片状氮化镓微晶表面大小约数百纳米,厚度数十纳米,薄膜表面平整、致密,没有裂纹或龟裂现象,与Si衬底结合紧密.氮化镓薄膜的带边峰位于367 nm处,同时出现了黄光发射峰.并对此种氮化镓薄膜的生长机理进行了探讨.