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尖峰退火在深亚微米超浅结中的应用
尖峰退火在深亚微米超浅结中的应用
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摘要：
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超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟
中子辐照
超深亚微米
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超深亚微米集成电路
可靠性
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信号完整性
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超深亚微米
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超深亚微米
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集成电路应用
主办单位：
上海贝岭股份有限公司
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-2583
CN：
31-1325/TN
开本：
16开
出版地：
上海宜山路810号
邮发代号：
创刊时间：
1984
语种：
chi
出版文献量（篇）
4823
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15
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