Ar离子注入P型MCT的反型分析

• 作者: 朱惜辰 杨文运 杨春丽
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ar离子注入 MCT 反型
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 409-411,415
• 页数: 4页
• 分类号: TN213
• 字数: 2380字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2008.07.011

摘要

对Ar离子注入P型MCT的反型进行了分析.由于Ar离子是中性离子,注入后反型的机理是否与B离子注入到P型MCT反型机理一致?我们根据B离子注入到P型MCT的模型进行了Ar离子注入反型的假设.经过实验验证了经Ar离子注入后,退火前不显现结整流特性,退火后显示出结整流特性,得到了Ar离子注入P型MCT中的反型大致与B离子注入到P型MCT反型结果一致.Ar离子注入后产生了大量的缺陷,形成剩余的Hg间隙原子被衍生缺陷所捕获,退火使得Hg间隙原子从衍生缺陷中逃逸出来而呈现低浓度的背景施主,造成了P型MCT的反型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨文运		10	51	4.0	7.0
2	朱惜辰		8	50	3.0	7.0
3	杨春丽		5	27	3.0	5.0