Si能带的非抛物线性对MOSFET电子输运的影响

• 作者: 李海霞 毛凌锋
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米金属-氧化物半导体场效应晶体管 非抛物线因子 全能带蒙特卡罗 速度过冲
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 235-238
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.03.014

摘要

随着器件尺寸的进一步减小,Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要.在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上,研究了非抛物线因子对沟道电子输运的影响.研究表明,非抛物线因子对小尺寸器件输运电流的影响大,而对大尺寸器件输运电流的影响不明显,这意味着对于深亚微米MOSFET必须考虑非抛物线因子对器件电子输运的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李海霞	苏州大学电子信息学院	5	9	2.0	3.0
2	毛凌锋	苏州大学电子信息学院	14	28	3.0	4.0