基于高迁移率微晶硅的薄膜晶体管

• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 TFT 微晶硅 大面积电子
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 液晶和其它非自发光显显示器
• 页码范围: 109-114
• 页数: 6页
• 分类号: TN321.5
• 语种: 中文

摘要

近年来,微晶硅(μc-Si:H)被认为是一种制作 TFT 的有前景的材料.采用PECVD法,在低于200℃时制作了微晶硅TFTs,其制作条件类似于非晶态 TFTs.微晶硅 TFTs 器件的迁移率超过了 30 cm2/Vs,而阈值电压是 2.5 V.在长沟道器件(50～200 μm)中观测到了这种高迁移率.但对于短沟道器件(2 μm),迁移率就降低到了7 cm2/Vs.此外,该 TFTs 的阈值电压随着沟道长度的减少而增大.文章采用了一种简单模型解释了迁移率、阈值电压随着沟道长度的缩短而分别减少、增加的原因在于源漏接触电阻的影响.