0.13μm DSP芯片静态电流测试失效分析研究

• 作者: 汪辉 谈莉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 静态电流失效 激光束诱导电阻值变化 电压对比 离子注入 成品率
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(半导体检测与测试技术)
• 页码范围: 578-580
• 页数: 3页
• 分类号: TN360
• 字数: 1337字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.07.007

摘要

静态电流(IDDQ)测试是一种很灵敏且具有成本效益的集成电路测试技术,针对0.13μm某种DSP芯片在量产初期所遇到的IDDQ测试失效情况,利用激光束诱导电阻值变化(OBIRCH)、电压对比(VC)、扫描电镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等电学与物理失效分析方法,确定由离子注入偏差所引起的MOS器件物理缺陷是造成IDDQ失效的原因,据此进行了离子注入光阻的工艺改进,最终实现了成品率的提升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪辉	上海交通大学微电子学院	33	81	4.0	7.0
2	谈莉	上海交通大学微电子学院	1	1	1.0	1.0