0.18μm混合信号RFCMOS工艺中新型低触发电压双向SCR静电防护器件的设计

• 作者: 于宗光 朱科翰 董树荣 韩雁
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 双向SCR 骤回
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2164-2168
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.017

摘要

提出了一类新型片上SCR静电放电防护器件,此类器件用于保护芯片双向抗击静电应力.比较和分析了四种双向SCR器件的触发电压.其中采用嵌入pMOS管或nMOS管的双向SCR器件结构具有可调触发电压,低漏电流(～pA)和开启速度快的骤回Ⅰ-Ⅴ特性,并且没有闭锁问题.该器件的抗ESD能力可达～94V/μm.此类新型ESD防护器件具有面积小、寄生效应小的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光	江南大学信息学院	89	354	9.0	14.0