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摘要:
本文采用紊流模型对大直径单晶硅在垂直磁场及勾形磁场作用时熔体内动量及热量输运作了数值模拟.采用有限体积法离散控制方程,采用SIMPLE((Semi-implicit Method for Pressure Linked Equations)算法耦合压力和速度场.对无磁场、垂直磁场及勾形磁场作用下熔体内的传输特性进行了比较.数值计算结果表明,垂直磁场对动量及热量的分布具有双重效应.垂直磁场强度过大,不利于晶体生长.随着勾形磁场强度的增加,熔体内子午面上的流动减弱,并且紊流强度也相应降低.
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关键词热度
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文献信息
篇名 不同磁场对大直径单晶硅生长中的动量与热量输运影响的数值分析
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 提拉法 单晶硅 磁场 紊流模型
年,卷(期) 2008,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1073-1078,1087
页数 7页 分类号 O78
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 隋允康 北京工业大学机电学院工程数值模拟中心 183 2359 26.0 41.0
2 宇慧平 北京工业大学机电学院工程数值模拟中心 38 239 9.0 13.0
3 安国平 北京工业大学机电学院工程数值模拟中心 19 166 7.0 12.0
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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