NEA GaN光电阴极量子产额研究

• 作者: 乔建良 常本康 杨智 田思 高有堂
• 来源期刊: 光学技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 量子产额 NEA GaN光电阴极 反射模式 透射模式
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 仪器与设计
• 页码范围: 395-397,400
• 页数: 4页
• 分类号: TN219
• 字数: 3410字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-1582.2008.03.014

摘要

围绕NEA GaN光电阴极光电发射过程的光谱响应理论,研究了其量子产额问题.分别给出了反射模式和透射模式NEA GaN光电阴极的量子产额计算公式,分析了影响量子产额的因素.分析了国外制备的反射模式和透射模式NEA GaN 光电阴极的量子产额曲线.结果表明,目前制备的NEA GaN光电阴极已具有高达30%的量子效率和良好的发射性能.相同条件下,反射模式比透射模式的量子效率要高,而且反射模式不像透射模式那样存在短波限制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	杨智	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	157	8.0	12.0
3	高有堂	南京理工大学电子工程与光电技术学院	30	78	5.0	7.0
7	乔建良	南京理工大学电子工程与光电技术学院	26	177	9.0	11.0
11	田思	南京理工大学电子工程与光电技术学院	16	99	6.0	9.0