电磁脉冲对GaAs LNA损伤及其分析

• 作者: 李用兵 王海龙
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 电磁脉冲 损伤试验 软损伤机理
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设计
• 页码范围: 899-901
• 页数: 3页
• 分类号: TN722|TN306
• 字数: 1805字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.10.015

摘要

介绍了电磁脉冲对GaAs低噪声放大器(LNA)损伤机理和损伤模式.利用特定电磁脉冲信号对其进行损伤,通过开帽内部目检、扫描电镜等失效手段和方法,针对该低噪声放大器在电磁脉冲实验中损伤机理及损伤模式进行了分析与讨论.实验表明,GaAs低噪声放大器的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要失效部位表现为有源器件,指出了对GaAs器件加固的一些措施,对器件设计者和使用者具有一定的参考意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海龙	中国电子科技集团公司第二十九研究所	22	44	4.0	6.0
2	李用兵	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	25	3.0	5.0