模拟集成器件在RF领域中的应用

• 作者: 朱运航
• 来源期刊: 电脑与信息技术
• 学科: 工学
• 关键词: RF CMOS SiGe 器件 通讯
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 通信技术与硬件设计
• 页码范围: 73-75
• 页数: 3页
• 分类号: TN492
• 字数: 3246字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-1228.2008.06.021

摘要

模拟工艺技术的快速发展推动了模拟器件水平的极大提高,为模拟集成电路提供了巨大的发展空间.近年来,模拟集成电路在通讯领域中的发展最为讯猛,其中基于RF器件和电路的无线应用已发展为半导体制造业中非常重要的应用领域.文章主要针对RF领域,对用于模拟集成电路的CMOS和SiGe器件的发展动态及趋势作了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱运航	湖南信息职业技术学院信息工程系	28	73	4.0	7.0