电磁脉冲应力下MOS器件退化失效建模

• 作者: 张芳 朱艳辉 蔡金燕
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 栅氧化层软击穿 随机过程模型 动态应力-强度干涉模型 退化失效 电磁脉冲应
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 可靠性分析
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2008.10.014

摘要

通过分析电磁脉冲应力下,栅氧化层软击穿(MOS器件主要失效模式)的失效机理,得出结论:它符合基于随机过程的退化失效模型.根据此结论,提出利用该模型来描述电磁脉冲应力下MOS器件的退化失效过程,并给出相应的退化失效模型.同时针对退化失效模型中的失效阈值问题,研究了随机失效阈值问题,分析了周期电磁脉冲应力下MOS器件的失效阈值问题,给出动态应力-强度干涉(SSI)模型.这些为更合理描述和分析MOS器件的退化失效问题提供了新的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡金燕	军械工程学院光学与电子工程系	144	811	13.0	18.0
2	张芳	军械工程学院光学与电子工程系	16	51	4.0	6.0