Ga促进的Pt/WO3/ZrO2催化剂上正庚烷异构化

• 作者: CHEN Xiao-rong LUAN Xiao 秦丽珍 陈长林
• 来源期刊: 南京工业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Ga WO3 ZrO2 正庚烷 异构化
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TQ426.94
• 字数: 3521字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7627.2008.04.002

摘要

在固定床反应器上,研究Ga促进的Pt/WO3/ZrO2(Pt/WZ)催化剂上正庚烷异构化,并采用H2程序升温脱附质谱(H2TPDMS)技术研究Pt/WZ上引入Ga对H2吸附能力的影响.结果表明,引入Ga明显提高了Pt/WZ催化剂上正庚烷异构化反应的活性;随反应温度的升高,正庚烷异构化反应转化率增大,反应6h以内,该系列催化剂不失活;体积空速1.0h-1,氢油摩尔比14时,Ga的质量分数1.0%的Pt/GWZ催化剂上,正庚烷转化率和异庚烷选择性达到最佳值,分别为81.5%和93.6%.H2TPDMS结果表明,引入Ga提高了Pt/WZ催化剂对H2的吸附能力,有利于提高该催化剂上正庚烷异构化反应活性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈长林		4	35	4.0	4.0
2	LUAN Xiao		1	5	1.0	1.0
3	秦丽珍		1	5	1.0	1.0
4	CHEN Xiao-rong		1	5	1.0	1.0