8 bit 800 Msps高速采样保持电路的设计

• 作者: 张正平 潘星 王永禄
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 采样保持电路 高速 开关射极跟随器 双极互补金属氧化物半导体
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 1044-1047
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2438字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.11.027

摘要

为适应目前无线通信领域对高速A/D转换器的要求,采用在Cadence Spectre环境下进行仿真验证的方法,对高速A/D前端采样保持电路进行了研究.提出的高速采样保持电路(SH)采用SiGe BiCMOS工艺设计,该工艺提供了0.35 μm的CMOS和46 GHz TT的SiGe HBT.基于BiCMOS开关射极跟随器(SEF)的SH,旨在比二极管桥SH消耗更少的电流和面积.在SH核心,电源电压3.3 V,功耗44 mW.在相干采样模式下,时钟频率为800 MHz时,其无杂波动态范围(SFDR)为-52.8 dB,总谐波失真(THD)为-50.4 dB,满足8 bit精度要求.结果显示设计的电路可以用于中精度、高速A/D转换器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张正平	中国电子科技集团公司第二十四研究所模拟集成电路国家重点实验室	6	28	3.0	5.0
2	潘星		4	14	2.0	3.0
4	王永禄	中国电子科技集团公司第二十四研究所模拟集成电路国家重点实验室	9	28	3.0	5.0