直接隧穿应力下超薄栅氧MOS器件退化

• 作者: 吴笑峰 曹艳荣 胡仕刚 郝跃 陈炽 马晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阈值电压 界面陷阱 直接隧穿 应力感应漏电流
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2136-2142
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.012

摘要

研究了栅氧厚度为1.4nm MOS器件在恒压直接隧穿应力下器件参数退化和应力感应漏电流退化.实验结果表明,在不同直接隧穿应力过程中,应力感应漏电流(SILC)的退化和Vth的退化均存在线性关系.为了解释直接隧穿应力下SILC的起因,建立了一个界面陷阱和氧化层陷阱正电荷共同辅助遂穿模型.