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摘要:
研究了栅氧厚度为1.4nm MOS器件在恒压直接隧穿应力下器件参数退化和应力感应漏电流退化.实验结果表明,在不同直接隧穿应力过程中,应力感应漏电流(SILC)的退化和Vth的退化均存在线性关系.为了解释直接隧穿应力下SILC的起因,建立了一个界面陷阱和氧化层陷阱正电荷共同辅助遂穿模型.
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文献信息
篇名 直接隧穿应力下超薄栅氧MOS器件退化
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 阈值电压 界面陷阱 直接隧穿 应力感应漏电流
年,卷(期) 2008,(11) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2136-2142
页数 7页 分类号 TN386
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.012
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研究主题发展历程
节点文献
阈值电压
界面陷阱
直接隧穿
应力感应漏电流
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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