p型MgxZn1-xO薄膜材料的制备与光学特性

• 作者: 张宝林 李香萍 杜国同 董鑫 赵旺
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: p型MgxZn1-xO薄膜 光致发光
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 第八届全国发光学学术会议研究论文
• 页码范围: 129-132
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 2435字
• 语种: 中文

摘要

通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在GaAs衬底上生长出了MgxZn1-xO薄膜,通过氧气气氛下的高温退火使得衬底中的As原子通过扩散作用进入薄膜形成受主,得到P型的MgxZn1-xO薄膜.退火前后XPS谱中A暑(3d)峰的对比表明,MgxZn1-xO薄膜中存在As.电学测试结果表明:退火对样品的电阻率和载流子浓度的影响很大.这是长时间的氧气退火使得氧空位数目明显减少,从而使Zn-O键数量显著增加造成的.在样品的X射线衍射(XaD)谱中,P型样品的(002)衍射峰明显弱于n型样品.而在二者的光致发光(PL)谱中,都存在着很强的近带边发射(NBE)峰和较弱的深能级发射(DLE)峰,P型样品的NBE峰明显较弱而DLE峰却很强.这些现象是由于As原子的扩散,使薄膜中产生了新的缺陷能级,导致能级间的激子复合更加复杂.稳定的P型MgxZn1-xO薄膜的获得为制备MgxZn1-xO同质结和发光二极管奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜国同	大连理工大学物理与光电工程学院	41	204	8.0	13.0
3	董鑫	大连理工大学物理与光电工程学院	7	23	3.0	4.0
4	张宝林	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	14	31	3.0	5.0
5	李香萍	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	4	18	3.0	4.0
8	赵旺	吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室	2	8	2.0	2.0