微电子器件静电损伤实验

• 作者: 唐卫红 姬国庆 张欣卉 李汉军 杨士亮
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子器件 静电损伤 放电模型
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设计
• 页码范围: 801-802,809
• 页数: 3页
• 分类号: TN61
• 字数: 1428字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.09.019

摘要

在不同的静电放电模型下,通过实验研究了几种典型的半导体器件的静电敏感端对的静电放电情况和灵敏参数,由于外部环境、材料、结构和加工工艺不同,器件的静电损伤模式不同,其最大未损伤阈值和最小损伤阈值也不尽相同.实验结果表明,对于高频低噪声npn型硅三极管来说,反向CB结的静电敏感度要高于反向EB结的静电敏感度;ESD电流注入硅器件不同端对时,灵敏参数一般包括反向击穿电压、直流电流放大系数和反向漏电流,而极间电容和噪声系数对静电不敏感.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姬国庆		8	13	2.0	3.0
2	杨士亮		12	80	5.0	8.0
3	李汉军		11	14	2.0	3.0
4	张欣卉		5	6	1.0	2.0
5	唐卫红		4	43	2.0	4.0