p型微晶硅薄膜的沉积及其在微晶硅薄膜太阳电池中的应用

• 作者: 卢景霄 杨仕娥 汪建华 谷锦华 赵尚丽 郑文 郜小勇 陈永生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: B掺杂微晶硅薄膜 喇曼晶化率 暗电导 太阳电池
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2130-2135
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.92
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.011

摘要

采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了硼掺杂微晶硅薄膜和微晶硅薄膜太阳电池.研究了乙硼烷含量、p型膜厚度及沉积温度对硼掺杂薄膜生长特性和高沉积速率的电池性能的影响.通过对p型微晶硅薄膜沉积参数的优化,在本征层沉积速率为0.78nm/s的高沉积速率下,制备了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜太阳电池.另外,对P型微晶硅薄膜的载流子疏输运机理进行了讨论.