镁合金抛光机理与CMP工艺研究

• 作者: 刘玉岭 武亚红 王晓云 王立发 陈景 马振国
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 镁合金(MB2) 化学机械抛光 抛光机理 抛光速率 抛光液
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 114-117,122
• 页数: 5页
• 分类号: TG146.22|TN305.2
• 字数: 2886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.02.012

摘要

将化学机械抛光(CMP)技术引入到镁合金片(MB2)的抛光中,打破过去镁合金以单一化学或机械加工为主的加工手段,用自制的抛光液对镁合金片进行抛光实验.结果发现,抛光液中加入双氧水易产生胶体,不利于抛光的进行,因此提出无氧化剂SiO2碱性抛光.同时分析了镁合金的抛光机理,抛光中压力、转速和抛光液流量参数对抛光过程的影响,利用Olympus显微镜对抛光前后镁合金表面进行观察,通过合理控制工艺参数,能够得到较佳的镁合金抛光表面,远优于单一的机械加工,为镁合金抛光工艺和进一步研究抛光液的配比奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	陈景	河北工业大学微电子研究所	5	44	4.0	5.0
3	王晓云	河北工业大学微电子研究所	5	35	3.0	5.0
4	王立发	河北工业大学微电子研究所	9	65	5.0	8.0
5	马振国	河北工业大学微电子研究所	5	44	4.0	5.0
6	武亚红	河北工业大学微电子研究所	5	44	4.0	5.0