基质掺杂离子对(Y,Rn)2O2S:Sm3+,Ti4+,Mg2+(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料余辉性能的影响

• 作者: 刘世香 张栌丹 张飞飞 李文军 王明文
• 来源期刊: 北京科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 红色长余辉材料 基质掺杂 离子半径 余辉时间
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 冶金与材料
• 页码范围: 49-52
• 页数: 4页
• 分类号: TN104.3|O482.3
• 字数: 2451字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-053X.2008.01.011

摘要

采用高温固相法制备了基质掺杂的(Y,Rn)2O2S:Sm3+,Ti4+,Mg2+(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料,主峰均为4G5/2→6H7/2跃迁的红橙色光发射,不受基质掺杂的影响.余辉性能测试表明掺杂离子半径对余辉性能具有重要的影响:单掺时,与Y3+半径相近并略小时样品的余辉时间有正增长;双离子共掺时均为小半径的掺杂对余辉性能有显著的提高,其中之一半径较大时即具有负效应.并对可能存在的机理进行了初步探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张栌丹	北京科技大学应用科学学院	1	2	1.0	1.0
2	王明文	北京科技大学应用科学学院	18	114	5.0	10.0
3	刘世香	北京科技大学应用科学学院	11	36	3.0	5.0
4	张飞飞	北京科技大学应用科学学院	3	30	2.0	3.0
5	李文军	北京科技大学应用科学学院	47	430	13.0	19.0