α-W膜在单晶硅基片上的共格生长及其力电性能的膜厚效应

• 作者: 刘明霞 徐可为 胡永锋 马飞
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 钨膜 模板效应 膜厚效应 残余应力 电阻率
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 631-635
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3040字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2008.05.023

摘要

以模板效应为手段,在单晶Si-(100)基片上借助预先沉积的Mo膜成功制备出共格生长的Pα-W薄膜.用X射线衍射、场发射扫描电镜和高分辨透射电镜分析薄膜微结构,用偏振相位移技术分析残余应力,用四点探针技术分析电阻率.结果表明:MO模板诱导下共格生长出的α-W膜为等轴晶,Si基底上则为亚稳态β-W的非等轴晶.两组样品的电阻率和残余应力均随膜厚降低而升高,但β-W膜归因于晶粒尺寸减小,即晶界的大量增加;而α-W/Mo双层膜归因于两者之间共格界面的约束作用,当膜厚减至数十纳米后尤其如此.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐可为	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	238	3333	30.0	44.0
2	马飞	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	14	20	3.0	4.0
3	刘明霞	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	4	13	3.0	3.0
4	胡永锋	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	1	3	1.0	1.0