InAs/GaAs量子点光致发光光谱多峰结构发光本质

• 作者: 吕雪芹 吴巨 梁志梅 王占国 金鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 多峰结构 能级结构 光致发光
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2121-2124
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.009

摘要

研究了InAs/GaAs量子点光致发光光谱中出现的多峰结构.观察到随着激发功率的增加光谱中发光峰的数目逐渐增多并且部分发光峰的峰位随激发功率的增加向高能量方向移动.解释了各发光峰的来源并结合量子点能级结构的特点,计算了量子点中电子和空穴各子带间的能级间距.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	101	701	15.0	23.0
2	金鹏	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	29	262	7.0	16.0
3	吴巨	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	11	15	2.0	3.0
4	梁志梅	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	吕雪芹	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	4	25	2.0	4.0