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摘要:
通过干涉法并应用Stoney公式计算的结果,对SiO2基底上光刻胶薄膜的应力进行了研究.采用干涉显微镜在同一样品、不同直径上多点测量的方法,初步得出光刻胶薄膜膜厚均匀性的分布规律.发现在匀胶转速相同的前提下,光刻胶薄膜应力值随加速度的降低而减小,光刻胶薄膜的均匀性随加速度的增加而变好.在4 000 rpm的低转速时,光刻胶薄膜样品的膜厚均匀性好.因此,在全息光栅匀胶工艺中,要选择适当的转速的加速度,以得到应力较小和均匀性较好的光刻胶薄膜.
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文献信息
篇名 全息光栅掩模应力控制研究
来源期刊 光学与光电技术 学科 物理学
关键词 全息光栅 薄膜应力 Stoney公式
年,卷(期) 2008,(6) 所属期刊栏目 材料与器件
研究方向 页码范围 58-60
页数 3页 分类号 O484.2
字数 1830字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-3392.2008.06.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张大伟 上海理工大学光学与电子信息学院 117 391 11.0 15.0
2 黄元申 上海理工大学光学与电子信息学院 56 348 11.0 16.0
3 陈南曙 上海理工大学光学与电子信息学院 4 15 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
全息光栅
薄膜应力
Stoney公式
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
光学与光电技术
双月刊
1672-3392
42-1696/O3
大16开
武汉市阳光大道717号
38-335
2003
chi
出版文献量(篇)
2142
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3
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9791
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