半导体量子点的发光性质研究

• 作者: 官众 张道礼
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 发光性质 光致发光谱测试
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 895-898
• 页数: 4页
• 分类号: TN360
• 字数: 3260字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.10.014

摘要

用PL谱测试研究了半导体量子点的光致发光性能,分析了不同In组分覆盖层对分子束外延生长的量子点发光特性的影响,及导致发光峰红移的原因.结果显示,In元素有效抑制界面组分的混杂,使得量子点的均匀性得到改善,PL谱半高宽变窄.用InAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1.3um发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张道礼	华中科技大学电子科学与技术系	33	158	7.0	10.0
2	官众	华中科技大学电子科学与技术系	2	13	2.0	2.0