铜离子选择电流型薄膜传感器

• 作者: 王伟广 王平 穆胜伟 门洪 靳继勇
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微传感器 薄膜传感器 硅片 脉冲激光沉积 铜离子
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 生物化学类传感器
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TP212
• 字数: 2943字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2008.01.006

摘要

以铜离子选择电极为靶材,采用脉冲激光沉积技术在p型单晶硅基底上制备了一种铜离子选择电流型薄膜传感器.该传感器的线性区间为10-4～10-6mol/L,标准曲线的斜率为71 nA/decade,检出限为3.0×10-7mol/L,适宜pH范围4～6,响应时间不超过2 min,在12周内该薄膜传感器显示了良好的稳定性和重复性.该薄膜传感器采用交流红外调制光源激发,以外电路中电流幅值变化量为铜离子浓度测量依据,基于电流量来表征薄膜传感器线性区斜率,该薄膜传感器的检出限比对应的铜离子选择电压型电极低,灵敏度提高了2.45倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王平	浙江大学生物传感器国家专业实验室	170	1293	20.0	30.0
2	门洪	东北电力大学自动化工程学院	49	215	8.0	12.0
3	靳继勇	东北电力大学自动化工程学院	3	18	2.0	3.0
4	王伟广	东北电力大学自动化工程学院	2	12	2.0	2.0
5	穆胜伟	东北电力大学自动化工程学院	3	36	2.0	3.0