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摘要:
对不同场板尺寸的AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管进行了研究,建立简化模型分析场板长度对沟道电场分布的影响.结果表明,调整钝化层厚度和场板长度都可以调制沟道电场的分布形状,当场板长度较小时,随着长度的增大器件击穿电压随之增加,而当长度增大到一定程度后器件击穿电压不再增加.通过优化场板长度,器件击穿电压提高了64%,且实验结果与模拟结果相符.
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文献信息
篇名 AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 AlGaN/GaN 击穿电压 场板长度
年,卷(期) 2008,(4) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 2456-2461
页数 6页 分类号 O4
字数 3021字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.04.075
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郝跃 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 312 1866 17.0 25.0
2 张进城 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 52 301 9.0 14.0
3 冯倩 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 35 224 7.0 13.0
4 魏巍 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 6 23 3.0 4.0
5 张金凤 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 16 87 7.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
AlGaN/GaN
击穿电压
场板长度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:National Basic Research Program of China
官方网址:http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:农业
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