PDP驱动芯片中高压LDMOS建模

• 作者: 孙伟锋 时龙兴 易扬波 李海松
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 模型 LDMOS子电路 PDP驱动芯片
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 2110-2114
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.007

摘要

建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型,该模型集成了LDMoS固有特性:准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容等.与其他物理模型和子电路模型比较,该模型不但能提供准确的模拟结果,而且建模简单快捷,另外该模型可较容易地嵌入SPICE模拟软件中.模型的实际应用结果显示:模拟与实测结果误差在5%以内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李海松	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	13	75	4.0	8.0
2	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
3	时龙兴	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	61	457	11.0	18.0
4	易扬波	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	11	64	5.0	7.0