α-Si3N4单晶纳米线的Fourier变换红外光谱和Raman光谱分析

• 作者: 叶敏 吴玉程 张立德 解挺
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 化学
• 关键词: 氮化硅 纳米线 生长机理 Fourier变换红外光谱 Raman光谱
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 44-48,53
• 页数: 6页
• 分类号: O657.33|O657.37
• 字数: 3699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2008.01.010

摘要

将单晶硅片在流动的氨气和氮气混合气体中加热到1 250 ℃,不用催化剂,实现了大量高纯度单晶Si3N4纳米线的生长.用X射线衍射方法分析了所制备Si3N4纳米线的相结构,用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察了其微观形貌.Si3N4纳米线生长机理为气-固机制.Fourier变换红外光谱与Raman光谱分析表明:产物的吸收与振动模式呈现了典型的α-Si3N4的特征;与α-Si3N4块体材料相比,部分峰位发生了蓝移,也有几个峰位发生了少许的红移,这是α-Si3N4纳米材料小尺寸效应与表面效应的综合体现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴玉程	合肥工业大学摩擦学研究所	356	3745	28.0	45.0
5	张立德	中国科学院固体物理研究所	101	1916	23.0	41.0
6	解挺	合肥工业大学摩擦学研究所	91	1358	20.0	32.0
8	叶敏	合肥工业大学摩擦学研究所	25	371	10.0	19.0