基于IBM SiGe BiCMOS工艺5PAe的2GHz功率放大器设计

• 作者: 宋家友 彭艳军 王志功
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率放大器 SiGe BiCMOS HBT
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 2101-2105
• 页数: 5页
• 分类号: TN433
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.005

摘要

采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个2GHz功率放大器.该放大器采用两级单端结构,除集电极扼流电感外,其余元件全部片上实现,具有集成度高、结构简单的特点.通过在管子基极和匹配电感中串联电阻,实现了全频段稳定.键合测试表明,在所有电源电压下电路均能稳定工作.在VC=3.5V,VB=6V,f=2.0GHz时,小信号增益为20.8dB,输入输出反射系数分别小于-17和-16dB,Pout-2dB约为24dBm.而在输出功率为25.1dBm时,功率附加效率达到21.5%,二次和三次谐波分别小于-45和-52dBc,因而具有较好的线性度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	宋家友	东南大学射频与光电集成电路研究所	52	285	8.0	14.0
6	彭艳军	东南大学射频与光电集成电路研究所	7	54	4.0	7.0