InGaP/GaAs HBT X波段混合集成功率合成放大器的研制

• 作者: 刘新宇 王显泰 王祖强 申华军 袁东风 陈延湖 陈高鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaP/GaAs HBT 功率合成 混合集成电路 功率放大器
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 2098-2100
• 页数: 3页
• 分类号: TN431
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.004

摘要

研制了面向X波段应用的InGaP/GaAs HBT混合集成功率合成放大器模块.电路采用一种新颖的具有片上RC稳定网络的InGaP/GaAs HBT功率管作为功率合成单元以提高电路的稳定性,并采用紧凑的微带线并联匹配网络进行功率分配和合成.在8.1GHz,偏置为Vcc=7V,Ic=230mA的AB类工作条件下,连续波最大输出功率为28.9dBm,功率合成效率达到80%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	袁东风	山东大学信息科学与工程学院	116	660	14.0	19.0
3	王祖强	山东大学信息科学与工程学院	38	207	7.0	12.0
4	申华军	中国科学院微电子研究所	14	68	5.0	8.0
5	王显泰	中国科学院微电子研究所	13	77	5.0	8.0
6	陈高鹏	中国科学院微电子研究所	5	24	3.0	4.0
7	陈延湖	山东大学信息科学与工程学院	6	9	2.0	2.0