相变随机存储器材料与结构设计最新进展

• 作者: 刘波 宋志棠 封松林
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 相变随机存储器 相变材料 热阻层材料
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 737-742
• 页数: 6页
• 分类号: TN333.8
• 字数: 5973字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.09.001

摘要

介绍了相变随机存储器(PCRAM)的研究现状,包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等.分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点,介绍了PCRAM这一新型半导体存储器的基本原理、特点以及国内外有关相变材料、过渡层材料和器件结构设计等方面的研究进展,最后提出了我国发展PCRAM的几点思考.