非掺杂对称双栅的基于完整表面电势的核心模型

• 作者: 何进 傅越 张健 张兴 张立宁 郑睿
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 体MOSFET极限 非传统CMOS 双栅MOSFET 器件物理 表面势模型
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 2092-2097
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.003

摘要

通过求解Poisson方程自洽地得到了表面电势随沟道电压的变化关系,从而推出了非掺杂对称双栅MOSFET的一个基于表面势的模型.通过Pao-Sah积分得到了漏电流的表达式.该模型由一组表面势方程组成,解析形式的漏电流可以通过源端和漏端的电势得到.结果标明该模型在双栅MOSFET的所有工作区域都成立,而且不需要任何简化(如应用薄层电荷近似)和辅助拟合函数.对不同工作条件和不同尺寸器件的二维数值模拟与模型的比较进一步验证了提出模型的精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张健	北京大学信息科学技术学院	70	293	11.0	14.0
2	郑睿	北京大学信息科学技术学院	5	7	2.0	2.0
3	张立宁	北京大学信息科学技术学院	2	2	1.0	1.0
4	傅越	北京大学信息科学技术学院	1	1	1.0	1.0