SiC/TiAl界面固相反应研究

• 作者: 吴玉程 曹菊芳 汤志鸣 汤文明 赵学法 郑治祥
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 化学
• 关键词: SiC TiAl 界面固相反应 固相扩散 反应机制
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 17-21
• 页数: 5页
• 分类号: TB321|O643.1
• 字数: 2953字
• 语种: 中文

摘要

使用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射仪对经950～1100℃热处理的SiC/TiAl平面界面偶界面固相反应层的成分分布、微结构及相组成等进行了分析研究,讨论了SiC/TiAl界面固相反应机制,并对热处理过程中反应层成长的动力学过程进行了探讨,获得相应的动力学方程.结果表明,SiC/TiAl界面固相反应层主要由TiC、Ti5Si3Cx及Ti(Al,Si)2构成.其中,TiC和Ti5Si3Cx主要富集于邻近SiC的反应区,而Ti(Al,Si)2富集于邻近TiAl侧的反应区.SiC/TiAl界面固相反应的发生归因于TiC和Ti5Si3Cx数值大的负吉布斯自由能变化.SiC/TiAl界面固相反应层遵循抛物线生长规律,为扩散控制的反应过程,反应速率常数为:K=8.47×10-3exp(-322×103/RT)(m2/s).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴玉程	合肥工业大学材料科学与工程学院	356	3745	28.0	45.0
2	郑治祥	合肥工业大学材料科学与工程学院	157	2008	24.0	36.0
3	汤文明	合肥工业大学材料科学与工程学院	104	841	16.0	23.0
4	汤志鸣	合肥工业大学材料科学与工程学院	5	20	3.0	4.0
5	曹菊芳	合肥工业大学材料科学与工程学院	6	24	3.0	4.0
6	赵学法	合肥工业大学材料科学与工程学院	6	24	3.0	4.0