基于表面电势的高压LDMOS晶体管直流模型改进

• 作者: 何佳 刘军 孙玲玲
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 器件建模 高压LDMOS Verilog-A 参数提取 BSIM3模型 PSP模型
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1109-1112
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2361字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.04.010

摘要

针对标准MOSFET的BSIM3和PSP模型在高压LDMOS建模上的不足,提出了基于PSP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I-V模型.在研究过程中,使用Agilent系列直流测试设备及ICCAP参数提取软件和ADS仿真器对高压LDMOS晶体管进行数据采集及参数提取.在开放的PSP模型Verilog-A代码基础上完成改进代码的实现.最终的结果表明,采用改进后的模型,仿真曲线与测量的I-V曲线十分吻合,该模型大大提高了PSP I-V模型模拟高压LDMOS晶体管时的精确度,对于实用高压集成电路的设计和仿真有着重要意义.