单晶硅片磨削的表面相变

• 作者: 康仁科 张银霞 郜伟 郭东明
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅片 磨削 相变
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 微纳技术与精密机械
• 页码范围: 1440-1445
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2815字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2008.08.017

摘要

为揭示硅片自旋转磨削加工过程中材料的去除机理,采用显微拉曼光谱仪研究了硅片磨削表面的相变.结果表明:半精磨和精磨硅片表面存在α-Si相、Si-Ⅲ相、Si-Ⅳ相和Si-Ⅻ相,这表明磨削过程中Si-Ⅰ相发生了高压金属相变(Si-Ⅱ相).Si-Ⅱ相容易以塑性方式去除.粗磨硅片表面没有明显的多晶硅,只有少量的非晶硅出现,材料以脆性断裂方式去除.从粗磨到精磨,材料去除方式由脆性断裂去除向塑性去除过渡.粗磨向半精磨过渡时,相变强度越大,材料的塑性去除程度越大;半精磨向精磨过渡时,相变强度越小,材料的塑性去除程度越大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
2	郭东明	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	273	4547	35.0	54.0
3	张银霞	郑州大学机械工程学院	37	170	8.0	11.0
4	郜伟	郑州大学机械工程学院	16	101	5.0	9.0