低功耗高增益CMOS LNA的设计

• 作者: 伊廷荣 成立 植万江 王玲 范汉华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 CMOS射频电路 低功耗 高增益
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 集成电路没计与开发
• 页码范围: 726-729
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.7
• 字数: 2843字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.08.022

摘要

设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器(LNA).所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50 Ω的输入阻抗匹配.文中设计的放大器采用TSMC0.18 μmCMOS工艺,用HSPICE模拟软件对其进行了仿真,并进行了流片测试.结果表明,所设计的低噪声放大器结构简单,极限尺寸为0.18 μm,当中心频率fo为2.4 GHz、电源电压VDD为1.8 V时其功率增益S21为16.5 dB,但功耗Pd只有2.9 mW,噪声系数NF为2.4 dB,反向隔离度S12为-58 dB.由此验证了所设计的CMOS RF放大器可以在满足低噪声、低功耗、高增益的前提下向100 nm级的研发方向发展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玲	江苏大学电气与信息工程学院	22	88	5.0	9.0
2	成立	江苏大学电气与信息工程学院	168	1567	21.0	32.0
3	植万江	江苏大学电气与信息工程学院	10	15	2.0	3.0
4	范汉华	江苏大学电气与信息工程学院	9	14	2.0	3.0
5	伊廷荣	江苏大学电气与信息工程学院	9	14	2.0	3.0