高压IGBT和二极管SOA性能的突破——SSCM

• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二极管 损耗/开关自箝位
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 75-77
• 页数: 3页
• 分类号: TM46
• 字数: 3465字
• 语种: 中文

摘要

介绍了一种新型高压IGBT和二极管设计平台,它展现出目前安全工作区域SOA(Safe Operation Area,简称SOA)所能达到的最高极限.首次展示了一种额定电压3.3～6.5kV、能够同时承受动态雪崩和开关自箝位模式(SwitchSelf Clamp Mode,简称SSCM)、低损耗的IGBT和二极管芯片组.这项成果将促成高压器件SOA能力的全新突破.