陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响

• 作者: 吕红亮 张义门 张玉明 王悦湖 车勇 邵科
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 MESFET 深能级陷阱 频率特性
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 933-936
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2008.05.018

摘要

针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,建立了基于解析模型的器件小信号参数模型,引入能够反映陷阱影响的参数R"ds、g"m、Css等,从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况.对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiC MESFET的跨导既有正向偏移,也有负向偏移.偏移频率在室温下不足1Hz,但在600K的温度下则可达到MHz的量级.结合自热效应模型,论文还分析了栅、漏极偏置和温度对器件频率偏移特性的影响.模拟结果表明,随着温度的上升,偏移频段上升.本文的模拟分析对器件的设计提供了理论上的依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	车勇	武警工程学院军械运输系	8	6	2.0	2.0
4	吕红亮	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	18	88	5.0	9.0
5	王悦湖	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	10	20	2.0	4.0
6	邵科	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体重点实验室	2	2	1.0	1.0