改进的用于AMOLED的移位寄存器的设计与仿真

• 作者: 丁媛媛 司玉娟 郎六琪
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 移位寄存器 p沟道技术 多晶硅薄膜晶体管 有源OLED HSPICE仿真
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 页码范围: 795-799
• 页数: 5页
• 分类号: TN383.1
• 字数: 874字
• 语种: 中文

摘要

p-type 技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程.基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一部分被集成到显示屏的衬底上.改进的移位寄存器由6个时钟控制,每个单元包含6个p-type多晶硅TFT.本文利用HSPICE进行仿真,验证了电路功能的正确性.利用韩方在多晶硅制作方面的优势,已经利用以上技术完成了96×3×128的AMOLED显示屏的制作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郎六琪	吉林大学珠海学院计算机科学与技术系	9	75	5.0	8.0
2	司玉娟	吉林大学通信工程学院	29	204	8.0	13.0
6	丁媛媛	吉林大学通信工程学院	7	32	4.0	5.0