无机相变信息存储材料研究新进展

• 作者: 侯立松 吴谊群 孙华军 魏劲松
• 来源期刊: 激光与光电子学进展
• 学科: 工学
• 关键词: 相变材料 纳米结构 光/电存储 改性
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 光储存
• 页码范围: 15-24
• 页数: 10页
• 分类号: TP333.4
• 字数: 8151字
• 语种: 中文

摘要

硫族化合物合金GeSbTe(GST)和AgInSbTe等相变材料(PCM)已经在光存储技术中得到广泛的应用,用相变电存储器件作为闪存的替代产品已成为国内外研究的热点.与此同时,相变材料在一些领域也取得了新的应用.总结了近年来国内外在相变材料的存储机制、光/电存储性能的改进以及新应用等方面的最新研究成果,并展望了相变材料的研究前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴谊群	中国科学院上海光学精密机械研究所	42	237	9.0	13.0
2	侯立松	中国科学院上海光学精密机械研究所	43	407	13.0	18.0
3	魏劲松	中国科学院上海光学精密机械研究所	12	61	3.0	7.0
4	孙华军	中国科学院上海光学精密机械研究所	5	13	2.0	3.0