高斜率效率隧道结叠层激光器的研制

• 作者: 刘英斌 安振峰 张世祖 杨红伟 林琳 王晓燕 花吉珍 陈宏泰
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 隧道结 高斜率效率 双叠层 三叠层
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 260-263
• 页数: 4页
• 分类号: TN242|TN243
• 字数: 2040字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.05.003

摘要

隧道结叠层激光器技术具有广泛的应用空间,如高斜率效率、高功率密度、多波长激光器等.采用LP-MOCVD系统生长隧道结材料,CCl4作为P型掺杂源,SiH4作为n型掺杂源,并采用δ掺杂技术,使得n+-GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,隧道结的面电阻率小于2×10-4Ω·cm2.设计生长了双叠层、三叠层材料,该材料制作的900 nm双叠层激光器在200 ns脉宽、20 A工作电流下输出功率35 w,斜率效率1.8 W/A,是单层材料的1.8倍,隧穿结引入的压降约为0.15 V;860 nm三叠层激光器的斜率效率大于2.7 W/A,是单层材料的2.7倍.