衬底和O2/Ar气体比例对ZnO薄膜结构及性能的影响

• 作者: 徐联 李俊红 汪承灏
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO c轴取向 微观结构 电阻率
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 79-82
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3274字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.01.024

摘要

采用直流磁控溅射法沉积了ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜等手段对薄膜的晶体结构和微观相貌进行了分析,并对薄膜的电学性能进行了考察.结果表明:所制备薄膜沿c轴高度择优,并具有较高的电阻率;ZnO薄膜的沉积速率和c轴择优度是由O2/Ar气体比例和衬底共同决定的;Au衬底上的ZnO薄膜以三维生长为主,在Al和Si衬底上出现了不同程度的薄膜二维生长;电阻率随O2/Ar气体比例的提高逐渐增加,Si衬底上薄膜的电阻率高于Al和Au衬底上的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李俊红	中国科学院声学研究所声学微机电系统实验室	30	72	5.0	8.0
2	汪承灏	中国科学院声学研究所声学微机电系统实验室	44	387	10.0	19.0
3	徐联	中国科学院声学研究所声学微机电系统实验室	7	46	3.0	6.0