强流脉冲电子束表层改性过程的三维温度场数值模拟

• 作者: 吴平生 宋振飞 张向东 秦颖 董闯 郝胜智
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 强流脉冲电子束(HCPEB) 三维温度场 数值模拟
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 455-459
• 页数: 5页
• 分类号: O532|O482.2|TG113.1|O241.8
• 字数: 2952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.06.013

摘要

采用了柱坐标系下的轴对称(三维简化)温度场模型,对低能(1～6J·cm-2)、强流(10～40kA·cm-2)、短脉冲(1～6μs)电子束辐照靶材过程中的温度场演化进行了数值模拟.结果表明,靶材经强流脉冲电子束轰击后,亚表层(深度0.12～0.24μm,径向0～0.13cm范围内)首先完成固液相变,熔体迅速突破外表层,形成火山坑;随后熔化层迅速扩大到深度0.99μm,径向约2.01cm范围内;辐照过程中的升降温速率达108～109K·s-1.随后的试验结果显示,重熔层深度约为1～2μm,辐照边界出现明显的过渡区,表层晶粒得到细化,这与模拟结果吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝胜智	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	43	558	14.0	22.0
2	吴平生	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	5	100	5.0	5.0
3	宋振飞	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	3	31	3.0	3.0
4	董闯	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	198	2023	23.0	34.0
5	秦颖	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	28	629	11.0	25.0
6	张向东	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	8	93	4.0	8.0