非晶Er2O3高k栅介质薄膜的制备及结构特性研究

• 作者: 方泽波 朱燕艳 蒋最敏 谭永胜 陈圣
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高k栅介质 Er2O3薄膜 反应蒸发
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 357-360
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 3013字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2008.02.031

摘要

采用高真空反应蒸发法在未加热的P型Si(100)衬底上实现了非晶Er2O3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比. X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜足非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er2O3薄膜获得了平整的表面.电容.电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10-4A/cm2.这些特征表明非晶Er2O3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋最敏	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	24	93	5.0	9.0
2	方泽波	绍兴文理学院物电系	15	18	2.0	3.0
6	谭永胜	绍兴文理学院物电系	5	12	2.0	3.0
7	朱燕艳	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	4	12	2.0	3.0
8	陈圣	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	4	12	2.0	3.0