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摘要:
本文用坩埚下降法自发成核的方法生长了钨酸铋钠NaBi(WO4)2晶体,得到了尺寸达18×18 × 52 mm3的透明晶体.研究了该晶体的生长面,发现晶体的生长面以(001)面为主,并运用布拉维(Bravais)法则和负离子配位多面体生长基元理论对这一现象进行了分析.
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文献信息
篇名 坩埚下降法钨酸铋钠晶体生长及其生长面研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 NaBi(WO4)2晶体 自发成核 生长面
年,卷(期) 2008,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 301-304
页数 4页 分类号 O713
字数 1785字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 仲维卓 中国科学院上海硅酸盐研究所 40 1092 19.0 32.0
2 任国浩 中国科学院上海硅酸盐研究所 59 357 9.0 15.0
3 史宏声 19 42 4.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
NaBi(WO4)2晶体
自发成核
生长面
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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