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坩埚下降法钨酸铋钠晶体生长及其生长面研究
坩埚下降法钨酸铋钠晶体生长及其生长面研究
作者:
仲维卓
任国浩
史宏声
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
NaBi(WO4)2晶体
自发成核
生长面
摘要:
本文用坩埚下降法自发成核的方法生长了钨酸铋钠NaBi(WO4)2晶体,得到了尺寸达18×18 × 52 mm3的透明晶体.研究了该晶体的生长面,发现晶体的生长面以(001)面为主,并运用布拉维(Bravais)法则和负离子配位多面体生长基元理论对这一现象进行了分析.
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内容分析
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相关文献总数
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文献信息
篇名
坩埚下降法钨酸铋钠晶体生长及其生长面研究
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
NaBi(WO4)2晶体
自发成核
生长面
年,卷(期)
2008,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
301-304
页数
4页
分类号
O713
字数
1785字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
仲维卓
中国科学院上海硅酸盐研究所
40
1092
19.0
32.0
2
任国浩
中国科学院上海硅酸盐研究所
59
357
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3
史宏声
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节点文献
NaBi(WO4)2晶体
自发成核
生长面
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
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