CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器

• 作者: 李铁 杨恒昭 熊斌 王跃林
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热电堆 红外探测器 干法刻蚀 XeF2气体
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 759-761,765
• 页数: 4页
• 分类号: TN215|TP271
• 字数: 1818字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.09.006

摘要

提出了一种CMOS工艺兼容的、并采用XeF2气体干法刻蚀工艺释放的热电堆红外探测器.探测器包括硅基体、框架、热电堆、支撑臂、红外吸收层、刻蚀开口等.作为红外吸收层的氧化硅/氮化硅复合介质膜具有多种形状的腐蚀开口,使用各向同性的干法刻蚀从正面刻蚀衬底释放器件.探测器尺寸为2 mm×2 mm,由20对多晶硅-铝热电偶组成,串联电阻16～18 kΩ.释放后的器件特性响应率13～15 V/W,探测率(1.85～2.15)×107 cmHz1/2/W,时间常数20～25ms.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王跃林		13	138	6.0	11.0
2	李铁		5	50	3.0	5.0
3	杨恒昭		1	5	1.0	1.0
7	熊斌		4	17	3.0	4.0