多重气固反应制备一维SiC纳米线

• 作者: 唐元洪 李小祥 李晓川 李甲林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC纳米线 多重气固反应 生长机理
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1786-1789
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.05
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.028

摘要

以硅片、石墨和SiO2粉末为原料,通过多重气同反应成功地制备出一维SiC纳米线.X射线衍射仪分析表明生成产物为立方结构的β-SiC.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察,该一维SiC纳米线的直径为30～50nm,长度可达几十甚至上百微米,为沿[111]方向生长的单晶β-SiC纳米线.根据多次对比实验的结果,由多重气固(VS)反应提出了该方法制备SiC纳米线的生长机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐元洪	湖南大学材料科学与工程学院	67	498	13.0	19.0
2	李小祥	湖南大学材料科学与工程学院	3	11	2.0	3.0
3	李甲林	湖南大学材料科学与工程学院	3	9	2.0	3.0
4	李晓川	湖南大学材料科学与工程学院	4	17	3.0	4.0