MOCVD生长双有源区AlGaInP发光二极管

• 作者: 于晓东 刘莹 李建军 林委之 沈光地 邓军 邢艳辉 韩军
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 红光发光二极管 隧道结 金属有机物化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 591-594
• 页数: 4页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 2445字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.05.007

摘要

设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管,该发光二极管的两个AlGaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接.双有源区发光二极管在20 mA注入电流下,主波长为623 nm,峰值波长为633 nm,电压为4.16 V,光强为163 mcd.