大功率激光二极管阵列正向特性研究

• 作者: 家秀云 张世祖 杨红伟 陈玉娟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 大功率激光二极管 正向漏电 解理纹 保护区 成品率
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 383-386
• 页数: 4页
• 分类号: TN365|TN306
• 字数: 2118字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.07.003

摘要

大功率激光二极管阵列的正向特性失效问题严重影响器件的成品率和可靠性.对典型的失效现象进行了分类,确认了主要的失效现象是正向漏电.结合分阶段测试统计和对失效样品的显微分析,确定了造成激光二极管漏电的主要工艺环节以及工艺过程中机械损伤造成二极管漏电的机理.基于分析结果,改进了芯片结构设计和芯片工艺夹具.对改进后的芯片进行了统计实验验证,结果表明,激光二极管阵列的正向漏电问题得到基本解决,正向特性成品率从60%提高到90%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张世祖	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	54	5.0	7.0
2	杨红伟	中国电子科技集团公司第十三研究所	23	87	6.0	7.0
3	陈玉娟	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	8	1.0	2.0
4	家秀云	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	18	2.0	4.0