X波段AlGaN/GaN HEMTs Γ栅场板结构研究

• 作者: 刘丹 刘新宇 刘果果 和致经 李诚瞻 王冬冬
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMTs r栅场板 截止频率 功率密度
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1790-1793
• 页数: 4页
• 分类号: TN454
• 字数: 2146字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.06.022

摘要

基于SiC衬底成功研制X波段0.25 μm栅长带有r栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT,设计场板(field plate)长度为0.4 μm,0.6μm,0.7μm,0.9μm.研究了r栅场板长度及不同漏偏压下对器件直流,小信号特性及大信号的影响.器件直流I-V及转移特性并不依赖场板长度变化,增加场板长度器件击穿电压提高可达108 V,器件截止频率及振荡频率下降,输出功率大幅度提高,结合器件小信号提参结果分析.8 GHz下,总栅宽1 mm,场板长度为0.9 μm的器件,连续波输出功率密度7.11 W/mm,功率附加效率(PAE)35.31%,相应线性增益10.25 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
3	刘丹	中国科学院微电子研究所	52	328	10.0	15.0
4	刘果果	中国科学院微电子研究所	12	56	4.0	7.0
5	李诚瞻	中国科学院微电子研究所	12	49	4.0	6.0
6	王冬冬	中国科学院微电子研究所	7	11	2.0	3.0